IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFL4315TRPBF par Infineon et BSP295H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFL4315TRPBF BSP295H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,35
FET Type N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C 2.6 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: I_DM rating] —
R_DS(on) max at V_GS=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Q_G 12 nC —
Gate-to-Source Voltage V_GS ±30 V (max) —
Continuous Source Current (Body Diode I_S) 1.6 A —
di/dt (Body Diode) 230 A/μs —
Power Dissipation (Ta) 2.8 W —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55 °C to +150 °C
Boîtier SOT-223 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) Planar N-channel MOSFET
Qualification Standard Industrial market (per Infineon datasheet) —
Lead-Free / RoHS Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS — Compliant
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Fiches techniques et ressources

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