IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR220NPBF von Infineon und IRFR220NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR220NPBF IRFR220NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,22
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse / Bauform TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 15 nC (typical per Mouser listing)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (fully characterized)
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Gehäuse — TO-252AA (DPAK), surface mount
RoHS-Status — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

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