IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR220NPBF por Infineon e IRFR220NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR220NPBF IRFR220NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,22
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 15 nC (typical per Mouser listing)
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (fully characterized)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Encapsulamento — TO-252AA (DPAK), surface mount
Status RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

Fichas técnicas e recursos

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