IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR220NPBF メーカー: Infineon および IRFR220NTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR220NPBF IRFR220NTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.22
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 15 nC (typical per Mouser listing)
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (fully characterized)
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
動作接合温度 — -55°C to +150°C
パッケージ — TO-252AA (DPAK), surface mount
RoHS ステータス — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

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