IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR220NPBF por Infineon y IRFR220NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR220NPBF IRFR220NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,22
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 15 nC (typical per Mouser listing)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (fully characterized)
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Encapsulado — TO-252AA (DPAK), surface mount
Estado RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

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