IRFR2405TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR2405TRPBF von Infineon und IRFR2405TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR2405TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Halogenfrei [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

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