IRFR2405TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR2405TRPBF от Infineon и IRFR2405TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR2405TRPBF IRFR2405TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Уровень MSL 1 —
Статус RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Без галогенов [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену