IRFR2405TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR2405TRPBF por Infineon e IRFR2405TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR2405TRPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,61 | $0,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 200 A (typical, per datasheet family) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 16 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| Nível MSL | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | — |
| Livre de halogênio | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |