IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3806TRPBF von Infineon und IRFR2405TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3806TRPBF IRFR2405TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,61
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Gehäuse / Bauform TO-252AA (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Gehäuse — TO-252AA (DPAK)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Halogenfrei — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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