IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon e IRFR2405TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3806TRPBF IRFR2405TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,61
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Encapsulamento — TO-252AA (DPAK)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Livre de halogênio — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fichas técnicas e recursos

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