IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR3806TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR2405TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR3806TRPBF IRFR2405TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.52 $0.61
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
패키지 / 케이스 TO-252AA (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
동작 온도 범위 -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
패키지 — TO-252AA (DPAK)
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
MSL 레벨 — 1
RoHS 상태 — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
할로겐 프리 — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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