IRFR4620TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR4620TRLPBF von Infineon und IRFR9120NTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR4620TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc -6.6 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) 25 nC typical 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc 40 W (Tc)
Technology IR MOSFET IR MOSFET (planar)
Gehäuse / Bauform TO-252AA (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C —
Lead Free Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
MSL-Level 1 (Unlimited) 1
Transistor Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Gehäuse — TO-252AA (DPAK)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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