IRFR4620TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR4620TRLPBF por Infineon y IRFR9120NTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR4620TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,72 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc -6.6 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) 25 nC typical 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc 40 W (Tc)
Technology IR MOSFET IR MOSFET (planar)
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Nivel MSL 1 (Unlimited) 1
Transistor Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Encapsulado — TO-252AA (DPAK)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización