IRFR4620TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR4620TRLPBF par Infineon et IRFR9120NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR4620TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc -6.6 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) 25 nC typical 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc 40 W (Tc)
Technology IR MOSFET IR MOSFET (planar)
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Niveau MSL 1 (Unlimited) 1
Transistor Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Boîtier — TO-252AA (DPAK)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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