IRFR4620TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR4620TRLPBF от Infineon и IRFR9120NTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR4620TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,72 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc -6.6 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) 25 nC typical 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc 40 W (Tc)
Technology IR MOSFET IR MOSFET (planar)
Корпус / Типоразмер TO-252AA (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Уровень MSL 1 (Unlimited) 1
Transistor Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (Tj)
Корпус — TO-252AA (DPAK)
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену