IRFR5410TRPBF vs IRFR1018ETRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR5410TRPBF von Infineon und IRFR1018ETRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR5410TRPBF IRFR1018ETRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,36
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (D-Pak)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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