IRFR5410TRPBF vs IRFR1018ETRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR5410TRPBF メーカー: Infineon および IRFR1018ETRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF - 60V 79A 8.4mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR1018ETRPBF - 60V 79A 8.4mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR1018ETRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR5410TRPBF IRFR1018ETRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $0.36
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (D-Pak)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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