IRFR5410TRPBF vs IRFR1018ETRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5410TRPBF por Infineon y IRFR1018ETRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5410TRPBF IRFR1018ETRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,36
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (D-Pak)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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