IRFS3006TRLPBF vs IRF7854TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFS3006TRLPBF von Infineon und IRF7854TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFS3006TRLPBF IRF7854TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,40 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Gehäuse D2PAK (TO-263AB), surface mount SO-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
MSL-Level 1 —
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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