IRFZ24NPBF vs IRF640NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFZ24NPBF von Infineon und IRF640NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFZ24NPBF IRF640NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-220AB (through hole) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Montageart Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Technology HEXFET planar cell HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard —
Channel Mode Enhancement —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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