IRFZ24NPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ24NPBF por Infineon e IRF640NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ24NPBF IRF640NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (through hole) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Technology HEXFET planar cell HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard —
Channel Mode Enhancement —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Faixa de temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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