IRFZ24NPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ24NPBF par Infineon et IRF640NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ24NPBF IRF640NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (through hole) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Type de montage Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Technology HEXFET planar cell HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard —
Channel Mode Enhancement —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis