IRFZ24NPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ24NPBF por Infineon y IRF640NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ24NPBF IRF640NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 44.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-220AB (through hole) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Technology HEXFET planar cell HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard —
Channel Mode Enhancement —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

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