IRLH5030TRPBF vs IRF7416TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLH5030TRPBF von Infineon und IRF7416TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLH5030TRPBF IRF7416TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A -10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC 61 nC
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
Gehäuse PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) 8-SO (SOIC-8)
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL-Level — 1 (unlimited)

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