IRLH5030TRPBF vs IRF7416TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLH5030TRPBF por Infineon e IRF7416TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLH5030TRPBF IRF7416TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,15 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A -10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC 61 nC
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
Encapsulamento PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) 8-SO (SOIC-8)
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — 1 (unlimited)

Fichas técnicas e recursos

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