IRLL024NTRPBF vs IRFR024NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLL024NTRPBF von Infineon und IRFR024NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLL024NTRPBF IRFR024NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,31
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET, Metal Oxide —
Operating Mode Enhancement Mode —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 3.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.4 A 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.065 ohm —
Total Gate Charge (Qg) 10.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (5 V drive capable) —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta 1.0 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Gehäuse SOT-223 (4-pin) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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