IRLL024NTRPBF vs IRFR024NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLL024NTRPBF por Infineon y IRFR024NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLL024NTRPBF IRFR024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,22 $0,31
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET, Metal Oxide —
Operating Mode Enhancement Mode —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 3.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.4 A 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.065 ohm —
Total Gate Charge (Qg) 10.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (5 V drive capable) —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta 1.0 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Encapsulado SOT-223 (4-pin) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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