IRLL024NTRPBF vs IRFR024NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLL024NTRPBF par Infineon et IRFR024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLL024NTRPBF IRFR024NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,31
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET, Metal Oxide —
Operating Mode Enhancement Mode —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 3.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.4 A 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.065 ohm —
Total Gate Charge (Qg) 10.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (5 V drive capable) —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta 1.0 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Boîtier SOT-223 (4-pin) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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