IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLML2060TRPBF von Infineon und BSS123IXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLML2060TRPBF BSS123IXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,11
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 190 mA
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W 500 mW
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse SOT-23 (Micro3, 3-pin) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) OptiMOS Small-Signal
RoHS-Status Compliant —
Halogenfrei Yes —
MSL-Level MSL1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern