IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2060TRPBF par Infineon et BSS123IXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML2060TRPBF | BSS123IXTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,11 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 190 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 500 mW |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | OptiMOS Small-Signal |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Niveau MSL | MSL1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | — | 2.4 ohm |
| RDS(on) (max per family datasheet) | — | 6 ohm |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (per family datasheet) |
| Qualification | — | Industrial |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (per distributor listing) |
| Gate Drive Logic Level | — | Logic-level compatible |