IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML2060TRPBF por Infineon e BSS123IXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML2060TRPBF BSS123IXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,11
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 190 mA
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W 500 mW
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento SOT-23 (Micro3, 3-pin) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) OptiMOS Small-Signal
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL MSL1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Fichas técnicas e recursos

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