IRLR120NTRPBF vs IRFU5305PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR120NTRPBF von Infineon und IRFU5305PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR120NTRPBF IRFU5305PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,27 $0,68
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 42 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
Montageart Surface Mount Through Hole
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
MSL-Level 1 —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -110 A (pulsed)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
Avalanche Rated — Yes (EAS rated)
RoHS Compliance — Compliant

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