IRLR120NTRPBF vs IRFU5305PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR120NTRPBF por Infineon e IRFU5305PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR120NTRPBF IRFU5305PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,68
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 42 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Nível MSL 1 —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -110 A (pulsed)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
Avalanche Rated — Yes (EAS rated)
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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