IRLR120NTRPBF vs IRFU5305PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR120NTRPBF por Infineon y IRFU5305PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR120NTRPBF IRFU5305PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,27 $0,68
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 42 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Nivel MSL 1 —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -110 A (pulsed)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
Avalanche Rated — Yes (EAS rated)
RoHS Compliance — Compliant

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