IRLR2905TRPBF vs IRFR1205TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR2905TRPBF von Infineon und IRFR1205TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR2905TRPBF IRFR1205TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,49
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] 160 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 2 V min, 4 V max
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55C to +175C
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
RoHS-Status — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Datenblätter & Ressourcen

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