IRLR2905TRPBF vs IRFR1205TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR2905TRPBF メーカー: Infineon および IRFR1205TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLR2905TRPBF IRFR1205TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.61 $0.49
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] 160 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 2 V min, 4 V max
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
動作接合温度 -55C to +175C -55C to +175C
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
RoHS ステータス — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

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