IRLR2905TRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2905TRPBF par Infineon et IRFR1205TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR2905TRPBF IRFR1205TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,49
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] 160 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 2 V min, 4 V max
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Statut RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Fiches techniques et ressources

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