IRLR2908TRPBF vs IRLB4030PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR2908TRPBF von Infineon und IRLB4030PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR2908TRPBF IRLB4030PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $3,10
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V 28 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V 22.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 120 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB
Montageart Surface Mount Through Hole
Configuration Single with built-in diode —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
RoHS-Status — Compliant

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