IRLR2908TRPBF vs IRLB4030PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR2908TRPBF por Infineon y IRLB4030PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR2908TRPBF IRLB4030PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $3,10
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V 28 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V 22.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 120 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Configuration Single with built-in diode —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
Estado RoHS — Compliant

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