IRLR2908TRPBF vs IRLB4030PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2908TRPBF par Infineon et IRLB4030PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR2908TRPBF IRLB4030PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $3,10
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V 28 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V 22.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 120 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB
Type de montage Surface Mount Through Hole
Configuration Single with built-in diode —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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