IRLR2908TRPBF vs IRLB4030PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR2908TRPBF por Infineon e IRLB4030PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR2908TRPBF IRLB4030PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $3,10
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V 28 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V 22.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 120 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Configuration Single with built-in diode —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação