IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR3410TRPBF von Infineon und IRLR3410TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR3410TRPBF IRLR3410TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,81 $0,65
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL-Level 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

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