IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3410TRPBF por Infineon y IRLR3410TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3410TRPBF IRLR3410TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,81 $0,65
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Nivel MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización