IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRPBF par Infineon et IRLR3410TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRPBF IRLR3410TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,65
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

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