IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3410TRPBF por Infineon e IRLR3410TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3410TRPBF IRLR3410TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,81 $0,65
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Nível MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Fichas técnicas e recursos

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