IRLS3036TRLPBF vs IRFB4020PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLS3036TRLPBF von Infineon und IRFB4020PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLS3036TRLPBF IRFB4020PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,39 $1,38
Polarity N-Channel —
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 270 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 1100 A —
Rds(on) max @ Vgs=10V 1.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) typ 91 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 380 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
Montageart Surface Mount Through Hole
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Integrated Body Diode Yes (avalanche rated) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — 175 C (max)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

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