IRLS3036TRLPBF vs IRFB4020PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLS3036TRLPBF от Infineon и IRFB4020PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3036TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3036TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLS3036TRLPBF IRFB4020PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,39 $1,38
Polarity N-Channel —
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 270 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 1100 A —
Rds(on) max @ Vgs=10V 1.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) typ 91 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 380 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Уровень MSL 1 —
Статус RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Integrated Body Diode Yes (avalanche rated) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Рабочая температура перехода — 175 C (max)
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену