IRLS3036TRLPBF vs IRFB4020PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLS3036TRLPBF por Infineon e IRFB4020PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLS3036TRLPBF IRFB4020PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,39 $1,38
Polarity N-Channel —
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 270 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 1100 A —
Rds(on) max @ Vgs=10V 1.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) typ 91 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 380 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Integrated Body Diode Yes (avalanche rated) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Temperatura de junção de operação — 175 C (max)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Fichas técnicas e recursos

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