IRS2110STRPBF vs IRS2112STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2110STRPBF von Infineon und IRS2112STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2110STRPBF IRS2112STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,42 $1,88
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Ausgangstyp Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL
Bootstrap Diode Integrated —
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low Yes (active-low)
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Both channels (VCC and VBS)
Betriebstemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC wide-body
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 3 (168 hours) 2 (1 year floor life)
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
High-side Offset Voltage (max) — 600 V
Output Source Current (typ) — 0.29 A
Output Sink Current (typ) — 0.6 A
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply Range (VDD) — 3.3 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
RoHS-Status — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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