IRS2110STRPBF vs IRS2112STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2110STRPBF por Infineon e IRS2112STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2110STRPBF IRS2112STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $1,88
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Número de saídas 2 —
Tipo de saída Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL
Bootstrap Diode Integrated —
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low Yes (active-low)
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Both channels (VCC and VBS)
Temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC wide-body
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 3 (168 hours) 2 (1 year floor life)
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
High-side Offset Voltage (max) — 600 V
Output Source Current (typ) — 0.29 A
Output Sink Current (typ) — 0.6 A
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply Range (VDD) — 3.3 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Status RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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